00:00
01:00
02:00
03:00
04:00
05:00
06:00
07:00
08:00
09:00
10:00
11:00
12:00
13:00
14:00
15:00
16:00
17:00
18:00
19:00
20:00
21:00
22:00
23:00
00:00
01:00
02:00
03:00
04:00
05:00
06:00
07:00
08:00
09:00
10:00
11:00
12:00
13:00
14:00
15:00
16:00
17:00
18:00
19:00
20:00
21:00
22:00
23:00
OD ČETVRTKA DO ČETVRTKA
20:00
30 min
SPUTNJIK INTERVJU
20:30
30 min
MOJ POGLED NA RUSIJU
21:00
30 min
MOJ POGLED NA RUSIJU
07:00
30 min
SPUTNJIK INTERVJU
Bez saradnje Srba i Rusa nema ostvarenja slovenskog sna
16:00
30 min
OD ČETVRTKA DO ČETVRTKA
Hoće li biti Trećeg svetskog rata
17:00
30 min
SPUTNJIK INTERVJU
„Dualnost Milene Pavlović Barili“
17:30
30 min
JučeDanas
Na programu
Reemiteri
Studio B99,1 MHz, 100,8 MHz i 105,4 MHz
Radio Novosti104,7 MHz FM
Ostali reemiteri

Atlanta: Protesti protiv Si-En-Ena (video)

© Foto : Mohamed NanabhayZgrada televizije CNN u Atlanti
Zgrada televizije CNN u Atlanti - Sputnik Srbija
Pratite nas
Protesti protiv uređivačke politike Si-En-Ena i drugih vodećih američkih medija, isprovocirani izveštavanjem o radu predsednika SAD Donalda Trampa, održani su kod sedišta tog televizijskog kanala u gradu Atlanti, u državi Džordžiji.

Proteste je organizovao pokret „Mejn strit patriots“. Kako je preneo portal „Brajtbart“, učesnici skupa su se okupili nezadovoljni lažnim vestima tog televizijskog kanala i ključnih medija.

​Jedna od organizatorki protesta Debi Douli rekla je da pristalice Trampa „moraju biti isto toliko motivisane i usredsređene“ na podršku šefu države, kao i oni ljudi koji istupaju protiv njega. 

Njen kolega Kriz Koks optužio je Si-En-En i druge američke medije za „novinarsku nekompetentnost na svakodnevnoj osnovi“. 

Broj učesnika akcije nije saopšten. „Brajtbart“ je objavio fotografiju na kojoj jedna devojka drži plakat s natpisom „Si-En-En – prestanite da lažete“, a druga transparent s podrškom Trampu. 

Si-En-En za sada nije saopštio da je održan protest kod njegovog sedišta. 

 

Sve vesti
0
Da biste učestvovali u diskusiji
izvršite autorizaciju ili registraciju
loader
Ćaskanje
Zagolovok otkrыvaemogo materiala