00:00
01:00
02:00
03:00
04:00
05:00
06:00
07:00
08:00
09:00
10:00
11:00
12:00
13:00
14:00
15:00
16:00
17:00
18:00
19:00
20:00
21:00
22:00
23:00
00:00
01:00
02:00
03:00
04:00
05:00
06:00
07:00
08:00
09:00
10:00
11:00
12:00
13:00
14:00
15:00
16:00
17:00
18:00
19:00
20:00
21:00
22:00
23:00
SPUTNJIK INTERVJU
Hajduković: Možemo da prevaziđemo nacionalnu karakternu grešku
16:00
30 min
SVET SA SPUTNJIKOM
Evropa između čekića i nakovnja – a sve ratobornija
17:00
59 min
SPUTNJIK INTERVJU
Uloga baka i deka u odrastanju dece
20:00
60 min
JučeDanas
Na programu
Reemiteri
Studio B99,1 MHz, 100,8 MHz i 105,4 MHz
Radio Novosti104,7 MHz FM
Ostali reemiteri

Peskov: Mnogo više ljudi glasa za Putina nego što je izašlo na proteste

© Sputnik / Pavel Bednяkov / Uđi u bazu fotografijaProtesti u Moskvi
Protesti u Moskvi - Sputnik Srbija
Pratite nas
Mnogi govore da je na nezakonitom protestu u Rusiji izašlo mnogo ljudi, što nije istina, rekao je portparol Kremlja Dmitrij Peskov u intervjuu televiziji „Rusija 1“.
„Sada će mnogi da govore da je na nezakonitu akciju izašlo mnogo ljudi. Ne, izašlo je malo ljudi, dok mnogo glasa za Putin. I mnogi ljudi su glasali za amandmane na Ustav (o izboru predsednika). Ako se uporede brojke, videćete koliko je to malo ljudi, iako su i to građani Rusije“, rekao je Peskov.

On je dodao da poštuje svako drugačije razmišljanje, ali je „kategorički protiv učešća u nezakonitim akcijama“.

„Jer je to kršenje zakona“, rekao je portparol Kremlja.

On je nazvao saopštenje američke ambasade u Moskvi o protestima indirektnim mešanjem u unutrašnje stvari Rusije. Da se ruska ambasada na isti način umešala u nerede u SAD, to bi, po njegovom mišljenju, izazvalo nelagodu u Vašingtonu.

Američka ambasada u Moskvi juče je objavila na društvenim mrežama da „podržava pravo svih ljudi na slobodu mišljenja“.

Podsetimo, juče su u više gradova održani protesti podrške opozicionaru Alekseju Navaljnom.

Pročitajte još:

Sve vesti
0
Da biste učestvovali u diskusiji
izvršite autorizaciju ili registraciju
loader
Ćaskanje
Zagolovok otkrыvaemogo materiala